Uitspraken

De (ook grensoverschrijdende) bevoegdheid van de voorzieningenrechter volgt uit artikel 4 Brussel I bis-Vo4, aangezien VDH, Eironn en Libra in Nederland zijn gevestigd. De rechter die krachtens die bepaling bevoegd is van het bodemgeschil kennis te nemen, is ook bevoegd voorlopige maatregelen te nemen. Artikel 24 lid 4 Brussel I bis-Vo staat daaraan in de gegeven omstandigheden niet in de weg, omdat de voorzieningenrechter, die op basis van genoemd artikel 4 bevoegd is kennis te nemen van een op inbreuk op een Europees octrooi gebaseerd grensoverschrijdend verbod, volgens vaste rechtspraak slechts een voorlopig oordeel geeft over de nietigheidsverweren met betrekking tot (ook) de buitenlandse delen van het Europees octrooi. De relatieve bevoegdheid volgt uit artikel 80 lid 2 onder a ROW 19955.

Het gaat hier om een in kort geding gevorderde voorlopige voorziening. De rechter moet daarom eerst beoordelen of Maxeon ten tijde van dit vonnis bij die voorziening een spoedeisend belang heeft. Daarnaast geldt dat de rechter in dit kort geding moet beoordelen of de vorderingen in de bodemprocedure een zodanige kans van slagen hebben, dat vooruitlopend daarop toewijzing van de voorlopige voorziening gerechtvaardigd is. Als uitgangspunt geldt bovendien dat in deze procedure geen plaats is voor (nadere) bewijslevering.

Het spoedeisend belang vloeit voort uit de aard van de vorderingen (een verbod ter beëindiging van een beweerdelijke inbreuk, althans onrechtmatig handelen, die/dat nog altijd voortduurt). Het (bestaan van) spoedeisend belang is door AIKO c.s. overigens ook niet bestreden.

De volgende beschrijving van de technische achtergrond volgens de stand van de techniek op de eerste prioriteitsdatum van het octrooi, is ontleend aan de niet of onvoldoende bestreden stellingen van partijen.

Een zonnecel (ook wel fotovoltaïsche cel) is een cel die zonlicht omzet in elektriciteit. Dit werkt in hoofdlijnen, vereenvoudigd en theoretisch weergegeven, als volgt.

De zon zendt straling uit in de vorm van fotonen, zogenaamde ‘stralingspakketten’. De energie van die stralingspakketten hangt af van de frequentie of golflengte van de respectieve straling. De golflengtes kunnen variëren en omvatten bijvoorbeeld korte ultraviolette golven, de regenboog(kleuren) van het zichtbare spectrum en lange infrarode golven. Wanneer de zon schijnt, bewegen de stralingspakketten in de richting van de aarde. Een zonnecel is ontworpen om zoveel mogelijk fotonen op te vangen (te absorberen) die het oppervlak van de zonnecel bereiken; een zonnecel maximaliseert de absorptie van fotonen en minimaliseert daarmee reflectie.

Het actieve deel van een zonnecel is een wafer (een dunne plak) van halfgeleidermateriaal die fungeert als substraat. Een halfgeleider is een materiaal dat elektrische stroom kan geleiden. Het werkelijke geleidingsvermogen van een halfgeleider hangt in de regel af van een aantal omstandigheden, waaronder met name dotering, temperatuur en foto-excitatie. Het halfgeleidermateriaal dat het meest wordt gebruikt voor zonnecellen is silicium (in het Engels "silicon") in de vorm van kristallijnsilicium (c-Si), dat hierna wordt aangeduid als siliciumsubstraat.

Siliciumatomen hebben vier valentie-elektronen (elektronen die een binding met een ander atoom kunnen aangaan) die zich bevinden in de valentieband rond de kern van het atoom. In intrinsiek silicium (onbewerkt silicium) vormen de siliciumatomen vier verbindingen met de naburige siliciumatomen door de vier valentie-elektronen te delen. De siliciumatomen vormen daarmee een regelmatig patroon en maken zo deel uit van een kristalrooster (siliciumrooster).

De absorptie van fotonen in een zonnecel leidt tot de verhuizing van een valentie-elektron (van het siliciumatoom) van de valentieband naar de zogenaamde geleidingsband; dat proces heet ‘foto-excitatie’. Hierdoor komt het geëxciteerde elektron (met een negatieve lading) vrij en blijft er een gebied met positieve lading – een ‘elektron gat’ of kortweg
‘gat’ – over op de plaats (in de valentieband) waar het (negatief geladen) elektron zich eerst bevond. Er ontstaat derhalve een ‘elektron-gat-paar’ (d.w.z. een ladingsdragerpaar omvattende een gat en een elektron). De negatief geladen elektronen en de positief geladen gaten kunnen zich vervolgens door het kristalrooster verplaatsen.

Een zonnecel heeft twee metalen contacten (uitgangen/elektroden): een P-contact en een N-contact. Het P-contact moet de positief geladen gaten aantrekken, terwijl het
N-contact juist de negatief geladen elektronen zal aantrekken. Door het P-contact en het
N-contact door een draad met elkaar te verbinden komt een ‘stroom’ van elektronen op gang die vanuit het N-contact richting (de gaten aan de zijde van) het P-contact bewegen. Als de elektronen via dat externe circuit het P-contact bereiken, "vullen” zij een (daar aanwezig) gat. Elektronenstroom is elektrische stroom, die kan worden gebruikt om bijvoorbeeld een elektromotor die in het externe circuit is opgenomen, van elektriciteit te voorzien.

In intrinsiek silicium zijn ‘vrije’ elektronen en gaten (elektronen en gaten die – als gevolg van foto-excitatie – vrij rond bewegen in het silliciumrooster) aanwezig in gelijke aantallen. Hoe meer vrije elektronen of gaten aanwezig zijn, hoe hoger de geleidbaarheid van het silicium.

De geleidbaarheid van het siliciumsubstraat kan worden verhoogd door het opzettelijk toevoegen van onzuiverheden (impurities) aan het siliciumrooster. Waar siliciumatomen vier valentie-elektronen hebben, hebben onzuiverheden ofwel één
valentie-elektron meer dan siliciumatomen (bijvoorbeeld fosforatomen: vijf valentie-elektronen) ofwel één minder (bijvoorbeeld booratomen: drie valentie-elektronen).

Als bijvoorbeeld een siliciumatoom wordt gesubstitueerd (vervangen) door een fosforatoom (met vijf valentie-elektronen), zal het fosforatoom vier bindingen vormen door vier elektronen te delen met de naburige siliciumatomen (zoals te zien is in de hieronder weergegeven afbeelding). De thermische energie van het kristal is bij kamertemperatuur groot genoeg om het losjes gebonden vijfde valentie-elektron te verhuizen naar de geleidingsband, waardoor het vrij kan bewegen. Dit elektron wordt dan een vrij (ook wel mobiel) elektron genoemd. Doordat het elektron vrijkomt, is het aantal mobiele elektronen in het siliciumsubstraat verhoogd, en neemt derhalve de geleidbaarheid toe. Op dezelfde manier zal de substitutie van een siliciumatoom door bijvoorbeeld een booratoom (met drie valentie-elektronen) resulteren in een ontbrekend elektron (zie hieronder weergegeven in de afbeelding). Hierdoor komt er een gat vrij in het siliciumrooster, dat zich in de valentieband bevindt. Ook het gat kan zich – doordat het opgevuld wordt door een valentie-elektron van een ander, naastgelegen atoom – ‘verplaatsen’ in het kristalrooster en zo bijdragen aan elektrische geleiding.

Het proces waarbij onzuiverheden opzettelijk worden gesubstitueerd in het siliciumrooster (dat wil zeggen dat zij de plaats innemen van een siliciumatoom in het kristalrooster), waardoor er meer elektronen in de geleidingsband en/of gaten in de valentieband komen en de geleidbaarheid van het substraat dus wordt verhoogd, wordt ‘doteren’ of ‘dotering’ (in het Engels ‘doping’) genoemd. Als dit proces is uitgevoerd op het siliciumsubstraat, is het siliciumsubstraat gedoteerd (of in het Engels: doped).

Dotering moet onderscheiden worden van de loutere aanwezigheid van onzuiverheden in zogenaamde interstitiële posities (dat wil zeggen posities die zich niet in het kristalrooster bevinden). Dergelijke onzuiverheden (buiten het kristalrooster) leveren geen mobiele elektronen en gaten op in het kristalrooster en beïnvloeden de geleidbaarheid van het substraat daardoor niet. Bij het toevoegen van onzuiverheden die zich slechts in genoemde interstitiële posities bevinden, wordt niet van dotering gesproken.

Onzuiverheden kunnen echter van interstitiële positie naar substitutionele posities (binnen het kristalrooster) bewegen door ‘activatie’. Voor de activatie van onzuiverheden kunnen verschillende techieken worden gebruikt. Een voorbeeld van een bekende techniek is gloeien (annealing, een warmtebehandelingsproces) bij verhoogde temperaturen, waardoor onzuiverheden in staat worden gesteld substitutionele posities in te nemen.

De atomen die kunnen worden gebruikt om onzuiverheden (in substitutionele posities) te creëren (het doteren), worden ook wel doteringsmiddelen (dopants) genoemd. Atomen met vijf valentie-elektronen (bijvoorbeeld fosfor) worden ook wel N-type doteringsmiddelen genoemd, en atomen met drie valentie-elektronen (bijvoorbeeld boor) worden ook wel P-type doteringsmiddelen genoemd. Als silicium wordt gedoteerd met een N-type doteringsmiddel, kan dit vervolgens worden aangeduid als N-type gedoteerd silicium. Hetzelfde geldt voor silicium dat wordt gedoteerd met een P-type doteringsmiddel; dat krijgt de aanduiding P-type gedoteerd silicium. Een siliciumsubstraat kan homogeen gedoteerd zijn. Er kan echter ook slechts een zone in het siliciumsubstraat gedoteerd zijn. Dit wordt dan een gedoteerde zone of een gedoteerd gebied genoemd.

Het siliciumsubstraat in een zonnecel omvat in de regel (in ieder geval) twee zones: (a) een ‘N-type gedoteerde zone’ en (b) een ‘P-type gedoteerde zone’.

Indien door het licht losgemaakte elektronen (die zich dan in de geleidingsband bevinden) en gaten (in de valentieband) elkaar binnen het siliciumsubstraat ontmoeten, worden deze weer met elkaar gecombineerd; het elektron valt terug in de valentieband en neemt zo een vaste plek in het kristalrooster in. Dit proces wordt ‘recombinatie’ genoemd. Elke keer dat een elektron-gat-paar recombineert, gaan ladingsdragers voor de geleiding van de opgewekte stroom verloren, waardoor de efficiëntie van de zonnecel wordt verminderd. Het rendement van een zonnecel kan sterk afnemen door recombinatie van vrijgekomen elektronen en gaten. Recombinatie vindt met name plaats aan het oppervlak van het siliciumsubstraat. Dit effect wordt ook wel oppervlakterecombinatie (‘surface recombination’) genoemd.

Zoals hiervoor genoemd, zijn de siliciumatomen in het siliciumsubstraat geordend in een kristalstructuur, waarbij ieder siliciumatoom is verbonden met vier andere siliciumatomen. Aan het oppervlak van het substraat zijn er minder (naastgelegen) atomen om aan te binden, waardoor er vrije valentie-elektronen (“dangling bonds”) ontstaan (zoals ook te zien is in de afbeelding hierboven). Vanwege de aanwezigheid van die vrije
valentie-elektronen is er een hoge dichtheid van onzuiverheden (“surface states”) aan het oppervlak van het substraat. Hierdoor is de recombinatiesnelheid hoger aan de oppervlakte van een substraat. De oppervlakte is dan ook de belangrijkste bron van ongewenste recombinatie in een zonnecel.

Om de dichtheid van defecten zoveel mogelijk te reduceren (de hiervoor in 4.21 onder (i) omschreven techniek), wordt er bij een typisch zonnecelontwerp gebruik gemaakt van zogenoemde passiveringslagen. Dit kan bijvoorbeeld door een (dunne) laag (film)
niet-geleidend (of ‘diëlektrisch’) materiaal bovenop de oppervlakte van het kristallijnsilicium aan te brengen of te laten ‘groeien’. Hierdoor wordt recombinatie aan het oppervlak tegengegaan. De standaardmethode voor het passiveren van siliciumoppervlakten is het aanbrengen van thermisch gegroeide siliciumdioxide (SiO2). Ook siliciumnitride kan worden gebruikt als passiveringslaag.

Bij de hiervoor onder a. omschreven techniek wordt een intern elektrisch veld onder het halfgeleideroppervlak gevormd door het vormen van een gedoteerde zone onder het oppervlak van het siliciumsubstraat. Deze gedoteerde zone wordt gevormd naast de al aanwezige homogene dotering van een P- of N-type siliciumsubstraat. Zo kan bijvoorbeeld een sterker gedoteerde zone van dezelfde geleiding als een N- of P-type silicium substraat worden gevormd in het substraat aan de achterzijde. Bij een N-type gedoteerd siliciumsubstraat is deze sterker gedoteerde zone gedoteerd met een N-type doteringsmiddel, en bij een P-type siliciumsubstraat is de zone gedoteerd met een P-type doteringsmiddel. De overgang tussen het N- of P-type siliciumsubstraat en de gedoteerde zone kan dan een zogenaamde ‘high-low junction’ vormen. Wanneer die junction aan de zijde van de zonnecel aanwezig is waar het zonlicht niet op valt dan wordt dat een back surface field (BSF) genoemd.

Of een high-low junction ontstaat door de gedoteerde zone hangt af van een aantal factoren, bijvoorbeeld of de doteringsconcentratie aan de oppervlakte hoog (high) genoeg is ten opzichte van de doteringsconcentratie van het homogeen gedoteerde P- of N-type siliciumsubstraat (low). Niet elke (triviale) doteringsconcentratie leidt tot een voldoende sterk elektrisch veld dat passivatie kan veroorzaken.

Het interne elektrische veld dat geassocieerd wordt met een high-low junction zorgt (als het elektrische veld sterk genoeg is) voor accumulatie (ophoping) van meerderheidsdragers (dat wil zeggen het ladingsdragertype dat in de meerderheid is; bij een N-type siliciumsubstraat zijn elektronen de meerderheidsdragers) aan de oppervlakte aan de achterzijde van het siliciumsubstraat, en maakt het moeilijk voor minderheidsdragers (dat wil zeggen het ladingsdragertype dat in de minderheid is; bij een N-type siliciumsubstraat zijn gaten de minderheidsdragers) die gegenereerd worden binnen het siliciumsubstraat om naar het oppervlak aan de achterzijde van het siliciumsubstraat te stromen. De concentratie van minderheidsdragers aan het oppervlak aan de achterzijde van het siliciumsubstraat wordt hierdoor verminderd, waardoor (de mogelijkheid tot) oppervlakterecombinatie afneemt.

De andere, in 4.23 onder b. omschreven techniek voor het verminderen van de concentratie van één ladingsdragertype aan de oppervlakte van het siliciumsubstraat, is het aanbrengen van een isolator op dat substraat (zoals een diëlektrische laag) met een ‘ingebouwde’ elektrische lading. De positieve of negatieve elektrische lading van de isolator veroorzaakt een scheiding van elektronen en gaten in het siliciumsubstraat onder de oppervlakte. Zo trekt bijvoorbeeld een positieve lading van de isolator negatief geladen elektronen aan, hetgeen resulteert in accumulatie van elektronen aan de oppervlakte. Positief geladen gaten worden juist afgestoten. Zo wordt (de mogelijkheid tot) oppervlakterecombinatie verminderd.

Op de eerste prioriteitsdatum was algemene vakkennis dat de hiervoor onder 4.21 onder (i) en (ii) weergegeven technieken voor oppervlaktepassivering vaak in combinatie (met elkaar) worden toegepast in kristallijnsiliciumzonnecellen. Op die manier wordt oppervlakterecombinatie zoveel mogelijk tegengegaan en wordt efficiëntieverlies beperkt.

De gemiddelde vakpersoon voor dit octrooi is door geen van partijen gedefinieerd. De voorzieningenrechter gaat uit van een gemiddelde vakpersoon die een ingenieursopleiding heeft doorlopen of een gevorderde graad heeft in de elektrotechniek, technische natuurkunde, scheikunde of materiaalkunde en ten minste 5 jaar ervaring heeft op het gebied van het ontwerpen, vervaardigen en ontwikkelen van zonnecellen.

Partijen verdelen onafhankelijke conclusie 1 van EP 788 in de volgende kenmerken, welke onderverdeling de voorzieningenrechter volgt:

A solar cell structure comprising:

a P-type doped region (101, 301) and an N-type doped region (102, 302)

the substrate comprising an N-type or P-type silicon wafer;

Bij de hiervoor gegeven kenmerkindeling van conclusie 1 zij aangetekend dat AIKO c.s. de laatste twee kenmerken (na characterized by) die Maxeon, zoals hierboven overgenomen, aanduidt als kenmerk 1.4.1 en 1.4.2, heeft vernummerd tot 1.5 en 1.5.1, omdat die kenmerken volgens haar geen sub-kenmerken van kenmerk 1.4 zijn. Wat daar verder ook van zij, de voorzieningenrechter ziet bij gebreke van een nadere toelichting, in de door partijen gehanteerde (afwijkende) nummering van de laatste twee kenmerken geen voor de in dit geval te maken beoordeling relevant verschil.

Voor onafhankelijke conclusie 9 van EP 788 zal de voorzieningenrechter, in navolging van partijen, de volgende kenmerkindeling hanteren:

forming a trench (104, 304) separating the P-type doped region (101, 301) and the N-type doped region (102, 302); depositing a second dielectric layer (107, 307) in the trench; and

forming a diffused passivation region (112, 312, 315) in the substrate (103, 303) under the trench (104, 304), and the passivation region is doped with an N-type dopant when the substrate comprises N-type silicon wafer.

De voorzieningenrechter laat in het midden het antwoord op de door AIKO c.s. opgeworpen vraag of (de conclusies 1 en 9 van) EP 788 voorshands ongeldig moet(en) worden geacht (omdat (die conclusies van) het octrooi toegevoegde materie zou(den) bevatten, althans niet inventief en/of nawerkbaar zou(den) zijn), zoals AIKO c.s. omstandig heeft aangevoerd.

De beweerdelijke uitvindingsgedachte van EP 788 in oorspronkelijke vorm zag volgens AIKO c.s. op het fysiek scheiden van twee N- en P-type gedoteerde gebieden door middel van een groefstructuur die recombinatie beoogt te voorkomen, waardoor de efficiëntie van de zonnecel wordt verhoogd. Dit stuitte echter op nieuwheids- en inventiviteitsbezwaren van de Examiner van het EOB, waarna het octrooi vervolgens is toegeschreven op het kenmerk van een ‘diffused passivation region’ onder de groef, aldus nog steeds AIKO c.s., en, na aanpassing van de conclusies aan nog enkele duidelijkheidsbezwaren van de Examiner, vervolgens is verleend. Deze gang van zaken is door Maxeon niet weersproken. Hoe dit ook zij, als er met Maxeon al van uit zou worden gegaan dat het octrooi geldig is, komt de voorzieningenrechter tot de conclusie dat in deze procedure niet voldoende aannemelijk is gemaakt dat de Aiko-panelen onder de beschermingsomvang van EP 788 vallen, zodat de vorderingen van Maxeon om die reden al niet voor toewijzing in aanmerking komen. Dat wordt als volgt toegelicht.

Over de vraag wanneer sprake is van inbreuk, bestaat de nodige rechtspraak. De voorzieningenrechter zal in dit kort geding uitgaan van de criteria die door het gerechtshof te Den Haag zijn ontwikkeld.6

Partijen twisten onder meer over de vraag of de Aiko-panelen en het fabricageproces van die panelen voldoen aan de hiervoor onder 4.30 respectievelijk 4.32 genoemde kenmerken 1.4.1 en 1.4.2 respectievelijk kenmerk 9.3 van conclusie 1 respectievelijk conclusie 9 van EP 788.

Ter onderbouwing van haar stelling dat de Aiko-panelen aan genoemde kenmerken voldoen, beroept Maxeon zich in de kern op het hiervoor onder 3.2 genoemde Exponent-rapport. In dat rapport worden de resultaten van een zogenaamd ToF-SIMS onderzoek (Time-of-Flight-Secondary Ion Mass Spectroscopy) getoond. Volgens Maxeon wordt daarmee geïllustreerd dat fosfor (dat wil zeggen N-type doteringsmiddel) aanwezig is in het siliciumsubstraat onder de groef. De structuur van de dotering onder de groef toont aan dat de fosforconcentratie het hoogst is aan het oppervlak van het substraat en afneemt met toenemende diepte vanaf het substraatoppervlak. Die (afnemende) fosforconcentratie duidt op de aanwezigheid van een gediffundeerde passivatiezone, aldus Maxeon. Dat betekent volgens haar tevens dat de Aiko-panelen direct verkregen producten zijn van de werkwijze van conclusie 9.

AIKO c.s. betwist dat in de Aiko-panelen onder de groef een ‘gediffundeerde passivatiezone’ aanwezig is die is gedoteerd met fosforatomen, meer in het bijzonder dat sprake is van enige dotering uitgaande boven de homogene dotering van het substraat onder de groef.

- dr. Hermle over de SIMS-meting van SGS Fresenius Institut15: “It is my view that the presented measurement methodology of the SGS Report cannot rule out the presence of a phosphorus profile in the trench”;

- professor Celano16: “SIMS is a primary compositional analysis technique, thus it does not have the ability to estimate quantitatively the activated carrier, i.e. the fraction of dopants atoms that are incorporated into the Si lattice and do contribute to modify its conductive properties (…) I see no convincing reason why these dopants would not be activated in a crystalline silicon solar cell”.

Tegenover die verklaringen heeft AIKO c.s. (andersluidende) deskundigenverklaringen en een reactie van SGS Fresenius Institut gesteld. Bij die stand van zaken kan de voorzieningenrechter in dit geding, zonder nadere bewijslevering waartoe het bestek van een kort geding zich niet leent, niet aannemelijk achten dat de Aiko-panelen en het fabricageproces, i.e. de werkwijze van conclusie 9, voldoen aan de conclusiekenmerken 1.4.1 en 1.4.2 respectievelijk 9.3. Dat AIKO c.s. met de verhandeling van de Aiko-panelen letterlijk inbreuk maakt op conclusies 1 of 9 van EP 788 of op één van de daarvan afhankelijke overige conclusies van EP 788, is dan ook niet althans onvoldoende aannemelijk gemaakt. Dat sprake zou zijn van inbreuk bij wege van equivalentie, heeft Maxeon niet gesteld, laat staan toegelicht, zodat de voorzieningenrechter die vraag (en dus de hiervoor onder 4.35.5 genoemde ‘tweede stap’) verder onbeoordeeld kan laten.

Gelet op hetgeen hiervoor is overwogen valt, zonder nadere toelichting, die ontbreekt, evenmin in te zien dat en waarom AIKO c.s. onrechtmatig jegens Maxeon zou handelen, zodat die grondslag de vorderingen ook niet kan dragen.

Dat betekent dat de vorderingen van Maxeon zullen worden afgewezen.

Maxeon zal als de in het ongelijk gestelde partij worden veroordeeld in de op de voet van artikel 1019h Rv te begroten proceskosten aan de zijde van AIKO c.s. Eironn heeft daartoe een – onbestreden – proceskostenspecificatie overgelegd, die sluit op een bedrag van € 538.590,26, waarvan € 448.031,- aan salaris advocaat, € 425,24 aan verschotten en € 90.134,02 aan deskundigenkosten. VDH en Libra hebben hun proceskosten gespecificeerd op € 64.949,10 (salaris advocaat en € 300,10 aan verschotten).

Om de redelijkheid en evenredigheid van de gevorderde advocaatkosten te kunnen beoordelen, pleegt de voorzieningenrechter, conform de door de Hoge Raad gegeven regels, aansluiting te zoeken bij de toepasselijke Indicatietarieven in octrooizaken (versie 1 september 2020). De voorzieningenrechter is van oordeel dat in dit geval sprake is van een ‘zeer complex kort geding’ waarvoor, volgens genoemde indicatietarieven, een maximum geldt van € 120.000,-. Daarbij is gelet op de in punt 8 onder a van de Indicatietarieven genoemde criteria. In dit geval is in het bijzonder relevant de omvang van het verweer, het aantal relevante producties, met name de technische rapportages die AIKO c.s. ter onderbouwing van haar verweer heeft laten maken en het financiële belang van de zaak, daarbij ook in aanmerking genomen de proceskostenopgave aan de zijde van Maxeon.

De Indicatietarieven betreffen uitsluitend de werkzaamheden van de advocaat/advocaten. Nu de door VDH en Libra gevorderde advocaatkosten (ruimschoots) onder het voor een ‘zeer complex’ kort geding geldende maximum blijven, zal het door hen gevorderde bedrag van € 64.649,00 volledig worden toegewezen.

Voor de door Eironn gemaakte advocaatkosten geldt niet dat zij onder het hiervoor genoemde maximum blijven. De voorzieningenrechter ziet echter geen aanleiding om, nu de zaak is ingedeeld in de hoogste categorie, van de indicatietarieven af te wijken. Met die indeling is er ook sprake van een voldoende en significant en passend deel van de redelijke kosten dat voor vergoeding in aanmerking komt. De advocaatkosten van Eironn worden aldus begroot op een bedrag van € 120.000,-.

De aan VDH en Libra en aan Eironn toe te wijzen bedragen zullen worden vermeerderd met het door hen betaalde griffierecht van € 688,-, de – onbestreden – gevorderde verschotten van € 300,10 (VDH en Libra) respectievelijk € 425,24 (Eironn) en de nakosten van € 178,- (plus de verhoging zoals vermeld in de beslissing). Verder zullen aan Eironn de door haar gevorderde en door Maxeon onbestreden gelaten deskundigenkosten van € 90.134,02 worden toegewezen.

Het totaalbedrag aan toe te wijzen proceskosten aan de zijde van VDH en Libra komt daarmee op € 65.815,10. Aan de zijde van Eironn komt het totaalbedrag op € 211.425,26. De (enkel) door Eironn gevorderde wettelijke rente over de proceskosten zal worden toegewezen zoals vermeld in de beslissing.

wijst de vorderingen van Maxeon af,

veroordeelt Maxeon in de proceskosten, aan de zijde van VDH en Libra op dit moment begroot op € 65.815,10, te betalen binnen veertien dagen na aanschrijving daartoe, te vermeerderen met € 92,00 plus de kosten van betekening als Maxeon niet tijdig aan de veroordeling voldoet en het vonnis daarna wordt betekend;

veroordeelt Maxeon in de proceskosten, aan de zijde van Eironn op dit moment begroot op € 211.425,26, te betalen binnen veertien dagen na aanschrijving daartoe, te vermeerderen met € 92,00 plus de kosten van betekening als Maxeon niet tijdig aan de veroordeling voldoet en het vonnis daarna wordt betekend;

veroordeelt Maxeon tot betaling aan Eironn van de wettelijke rente als bedoeld in artikel 6:119 BW17 over de hiervoor onder 5.3 genoemde proceskosten, als deze niet binnen veertien dagen na aanschrijving zijn voldaan, tot de dag van volledige betaling;

verklaart de hiervoor onder 5.2, 5.3 en 5.4 uitgesproken proceskostenveroordelingen, uitvoerbaar bij voorraad.